2SD986O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD986O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7000

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD986O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD986O даташит

 8.1. Size:152K  nec
 2sd985 2sd986.pdf pdf_icon

2SD986O

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd986.pdf pdf_icon

2SD986O

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD986 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain- h = 2000(Min) @ I = 1A FE C Low Collector Saturation Voltage Complement to Type 2SB795 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS They are suitable for use to operate from IC

 8.3. Size:124K  inchange semiconductor
 2sd985 2sd986.pdf pdf_icon

2SD986O

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD985 2SD986 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SB794/795 DARLINGTON High DC current gain Low collector saturation voltage APPLICATIONS For low frequency power amplifier and power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD981, 2SD982, 2SD983, 2SD985, 2SD985O, 2SD985R, 2SD985Y, 2SD986, S9014, 2SD986R, 2SD986Y, 2SD987, 2SD990, 2SD991, 2SD991K, 2SD992, 2SD993