41501 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 41501
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
41501 Datasheet (PDF)
ptfa041501e-f.pdf
PTFA041501EPTFA041501FConfidential, Limited Internal DistributionThermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs150 W, 420 500 MHzDescriptionThe PTFA041501E and PTFA041501F are 150-watt LDMOS FETsPTFA041501Edesigned for ultra-linear CDMA power amplifier applications.Package H-36248-2They are available in thermally-enhanced ceramic open-cavitypackages . Manufactured with In
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: DTA143TMFHA | ECG238 | 2N4406 | 2SC2947 | BC231B | 2N6678T1 | C1815BF-BL
History: DTA143TMFHA | ECG238 | 2N4406 | 2SC2947 | BC231B | 2N6678T1 | C1815BF-BL
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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