2G413 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2G413
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO18
- Selección de transistores por parámetros
2G413 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2G396 , 2G397 , 2G398 , 2G40 , 2G401 , 2G402 , 2G403 , 2G404 , 2N5401 , 2G414 , 2G415 , 2G416 , 2G417 , 2G508 , 2G509 , 2G524 , 2G525 .
History: 2N1676 | GS9016F | FSB660 | NSBC144WDXV6 | 2N1013 | GT250-4A | TD13005
History: 2N1676 | GS9016F | FSB660 | NSBC144WDXV6 | 2N1013 | GT250-4A | TD13005



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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