9012E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 9012E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 78
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 9012E
9012E Datasheet (PDF)
6ps09012e4dg35566.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF450R12KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannun
Otros transistores... 9011D , 9011E , 9011F , 9011G , 9011H , 9011I , 9012 , 9012D , 13003 , 9012F , 9012G , 9012H , 9013 , 9013D , 9013E , 9013F , 9013G .
History: KT962B | AD103VI | KTX311T
History: KT962B | AD103VI | KTX311T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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