9012E - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 9012E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 78
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 9012E
9012E - технические параметры
6ps09012e4dg35566.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF450R12KE4 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode Vorl ufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannun
Другие транзисторы... 9011D , 9011E , 9011F , 9011G , 9011H , 9011I , 9012 , 9012D , 2N3906 , 9012F , 9012G , 9012H , 9013 , 9013D , 9013E , 9013F , 9013G .
History: NA02F | NA02EG | A1150 | KC857 | KC859W | NA02EJ | A1037
History: NA02F | NA02EG | A1150 | KC857 | KC859W | NA02EJ | A1037
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor


