9015D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 9015D  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 118

Encapsulados: TO92

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9015D datasheet

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9015D

9015 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, A, B, C and D, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 9014 is recommended. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collec

 0.1. Size:192K  mcc
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9015D

S9015-B MCC Micro Commercial Components TM S9015-C 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 S9015-D Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.45Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current -0.1A Collector-base Voltage -50V Transistors Operating

 0.2. Size:243K  semtech
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9015D

MMBT9015B / MMBT9015C / MMBT9015D PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. As complementary types the NPN transistor MMBT9014B, MMBT9014C and MMBT9014D are recommended. SOT-23 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 45 V

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