AF101O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AF101O
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: X01
     - Selección de transistores por parámetros