AF115 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AF115  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO7

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AF115 datasheet

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AF115

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF115E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF115E DRA3115E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Packa

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