AF144 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AF144 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO72
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AF144 datasheet
draf144t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF144T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF144T DRA3144T in ML3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ML3-N4-B Contributes to miniaturization of
draf144e.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF144E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF144E DRA3144E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac
Otros transistores... AF134, AF135, AF136, AF137, AF138, AF139, AF142, AF143, BC558, AF146, AF147, AF148, AF149, AF150, AF164, AF165, AF166
History: BD241CG
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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