AL100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AL100
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 130 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de AL100
AL100 Datasheet (PDF)
Otros transistores... AFY77 , AFZ10 , AFZ11 , AFZ12 , AJT006 , AJT015 , AJT030 , AJT085 , C1815 , AL100-4 , AL100-5 , AL100-6 , AL101 , AL102 , AL102-4 , AL102-5 , AL102-6 .
History: HSB649A | BD830B | KT626V | 2N424-1 | 2SC3284 | 2SA1480C | DTA144VSA
History: HSB649A | BD830B | KT626V | 2N424-1 | 2SC3284 | 2SA1480C | DTA144VSA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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