AM0912-150 Todos los transistores

 

AM0912-150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM0912-150
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 16.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 225 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: SO38
 

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AM0912-150 Datasheet (PDF)

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AM0912-150

AM0912-300RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.15:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .500 2LFL (S038).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 300 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN=OUTORDER CODE.BANDWIDTH 255 MHz BRANDINGAM0912-300 0912-300DESCR

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AM0912-150

AM0912-080RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).P 90 W MIN. WITH 13 dB GAINOUT =hermetically sealed.BANDWIDTH 225 MHzORDER CODE BRANDINGAM0912-080 0912-80PIN CONNECTIONDESCRIPTIONTh

 8.1. Size:105K  st
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AM0912-150

AM0912-150RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P = 150 W MIN. WITH 7.5 dB GAINOUT.400 x .500 2LFL (S038).BANDWIDTH = 255MHzhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM0912-150 0912-150PIN CONNECTIONDESCRIPTION

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History: SBC807-25WT1G

 

 
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