AM0912-150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM0912-150
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 16.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 225 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: SO38

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar AM0912-150

AM0912-150 Datasheet (PDF)

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am0912-300.pdf

AM0912-300RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.15:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .500 2LFL (S038).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 300 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN=OUTORDER CODE.BANDWIDTH 255 MHz BRANDINGAM0912-300 0912-300DESCR

7.2. Size:65K st
am0912-080.pdf

AM0912-080RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).P 90 W MIN. WITH 13 dB GAINOUT =hermetically sealed.BANDWIDTH 225 MHzORDER CODE BRANDINGAM0912-080 0912-80PIN CONNECTIONDESCRIPTIONTh

8.1. Size:105K st
am0912.pdf

AM0912-150RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P = 150 W MIN. WITH 7.5 dB GAINOUT.400 x .500 2LFL (S038).BANDWIDTH = 255MHzhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM0912-150 0912-150PIN CONNECTIONDESCRIPTION

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050