AM80912-030 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM80912-030  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 55 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: SO36

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AM80912-030 datasheet

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AM80912-030

AM80912-085 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT = 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAIN hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80912-085 80912-85 PIN CONNECTION DESCRIPTION

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AM80912-030

AM80912-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .15 1 VSWR CAPABILITY .LOW RF THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .400 2LFL (S036) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN = OUT BRANDING ORDER CODE 80912-30 AM80912-030 DE

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AM80912-030

AM80912-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed .POUT = 6.0 W MIN. WITH 9.3 dB GAIN ORDER CODE BRANDING AM80912-005 80912-5 PIN CONNECTION DESCRIPTION

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