BC178AP Todos los transistores

 

BC178AP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BC178AP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 125
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

BC178AP Datasheet (PDF)

 9.1. Size:86K  st
 bc177-bc178-bc179.pdf pdf_icon

BC178AP

BC177BC178-BC179LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BC177, BC178 and BC179 are silicon planarepitaxial PNP transistors in TO-18 metal case.Theyare suitable for use in driver audio stages, low noiseinput audio stages and as low power, high gaingeneral purpose transistors. The complementaryNPN types are respectively the BC107, BC108 andBC109.TO-18INTER

 9.2. Size:269K  siemens
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BC178AP

 9.3. Size:144K  tesla
 bc157vi-a bc158vi-a-b bc159a-b bc177v-vi-a-b bc178v-vi-a-b bc179a-b kc307a-b-v kc308a-b-c kc309f-b-c kc636 kc638 kc640 kf423 kf470 kf517.pdf pdf_icon

BC178AP

 9.4. Size:89K  cdil
 bc177 bc178 bc179 a b .pdf pdf_icon

BC178AP

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC177, A, B, C BC178, A, B, C BC179, A, B, C TO-18ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BC177 BC178 BC179 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 45 25 20 VCollector -Emitter Voltage VCES 50 30 25 VCollector -Base Voltage VCBO 50 30 25 VEmitter

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History: ES3124 | 2N4355 | BF336D | 411

 

 
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