BC178AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC178AP

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC178AP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC178AP даташит

 9.1. Size:86K  st
bc177-bc178-bc179.pdfpdf_icon

BC178AP

BC177 BC178-BC179 LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERS DESCRIPTION The BC177, BC178 and BC179 are silicon planar epitaxial PNP transistors in TO-18 metal case.They are suitable for use in driver audio stages, low noise input audio stages and as low power, high gain general purpose transistors. The complementary NPN types are respectively the BC107, BC108 and BC109. TO-18 INTER

 9.2. Size:269K  siemens
bc177 bc178 bc179.pdfpdf_icon

BC178AP

 9.4. Size:89K  cdil
bc177 bc178 bc179 a b .pdfpdf_icon

BC178AP

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC177, A, B, C BC178, A, B, C BC179, A, B, C TO-18 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BC177 BC178 BC179 UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 45 25 20 V Collector -Emitter Voltage VCES 50 30 25 V Collector -Base Voltage VCBO 50 30 25 V Emitter

Другие транзисторы: BC177B, BC177BP, BC177C, BC177P, BC177V, BC177VI, BC178, BC178A, 2N3906, BC178B, BC178BP, BC178C, BC178CP, BC178P, BC178V, BC178VI, BC179