2N2641 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2641 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO77
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de 2N2641
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2N2641 datasheet
2n2646 2n2647.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824
2n2647.pdf
2N2646 2N2647 SILICON UNIJUNCTION TRANSISTORS Silicon Planar Unijunction Transistors have a structure resulting in lower saturation voltage, peak-point current and valley current as zell as a much higher base-one peak pulse voltage. In addition, these devices are much faster switches. The 2N2646 is intended for general purpose industrial applications where circuit economy is of pr
Otros transistores... 2N2636, 2N2637, 2N2638, 2N2639, 2N2639DCSM, 2N264, 2N2640, 2N2640DCSM, 2SC2383, 2N2641DCSM, 2N2642, 2N2642DCSM, 2N2643, 2N2643DCSM, 2N2644, 2N2644DCSM, 2N2645
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025





