2N266 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N266
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: R32
- Selección de transistores por parámetros
2N266 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... 2N2652 , 2N2652A , 2N2654 , 2N2655 , 2N2656 , 2N2657 , 2N2658 , 2N2659 , 2SD669A , 2N2660 , 2N2661 , 2N2662 , 2N2663 , 2N2664 , 2N2665 , 2N2666 , 2N2667 .
History: 2SA815 | 2SA795A | 2SA1706T-AN | BC848CW-G | RT3YB7M | 3DG2413K
History: 2SA815 | 2SA795A | 2SA1706T-AN | BC848CW-G | RT3YB7M | 3DG2413K



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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