Биполярный транзистор 2N266 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N266
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: R32
Другие транзисторы... 2N2652 , 2N2652A , 2N2654 , 2N2655 , 2N2656 , 2N2657 , 2N2658 , 2N2659 , TIP2955 , 2N2660 , 2N2661 , 2N2662 , 2N2663 , 2N2664 , 2N2665 , 2N2666 , 2N2667 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050