2N2691 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2691

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.06 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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2N2691 datasheet

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2N2691

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2N2691

2N2696CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 25V A = (0.04 0.004

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