2N2691. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2691

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.06 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N2691

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2691 даташит

 9.1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

2N2691

 9.2. Size:230K  no
 2n2698.pdf pdf_icon

2N2691

 9.3. Size:11K  semelab
 2n2696csm.pdf pdf_icon

2N2691

2N2696CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 25V A = (0.04 0.004

Другие транзисторы: 2N2674, 2N2675, 2N2676, 2N2677, 2N2678, 2N268, 2N268A, 2N269, TIP32C, 2N2691A, 2N2692, 2N2693, 2N2694, 2N2695, 2N2696, 2N2697, 2N2698