2N2696 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2696
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO18
- Selección de transistores por parámetros
2N2696 Datasheet (PDF)
2n2696csm.pdf
2N2696CSMDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar PNP Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 25V A =(0.04 0.004
Otros transistores... 2N268A , 2N269 , 2N2691 , 2N2691A , 2N2692 , 2N2693 , 2N2694 , 2N2695 , BF422 , 2N2697 , 2N2698 , 2N2699 , 2N269A , 2N27 , 2N270 , 2N2706 , 2N2706M .
History: 2SD1816T | DTL3512 | NKT11 | 2SC3459L | KSB795 | HK100 | 2N869
History: 2SD1816T | DTL3512 | NKT11 | 2SC3459L | KSB795 | HK100 | 2N869
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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