2N2706M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N2706M
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO1
Otros transistores... 2N2696 , 2N2697 , 2N2698 , 2N2699 , 2N269A , 2N27 , 2N270 , 2N2706 , C1815 , 2N2706MP , 2N2707 , 2N2708 , 2N2709 , 2N271 , 2N2710 , 2N2711 , 2N2712 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050