Биполярный транзистор 2N2706M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2706M
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO1
2N2706M Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N2696 , 2N2697 , 2N2698 , 2N2699 , 2N269A , 2N27 , 2N270 , 2N2706 , C1815 , 2N2706MP , 2N2707 , 2N2708 , 2N2709 , 2N271 , 2N2710 , 2N2711 , 2N2712 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050