BC413C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BC413C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 380
Paquete / Cubierta: TO92
- Selección de transistores por parámetros
BC413C Datasheet (PDF)
gc520-k gc521-k gc522-k bc413b-c kc147 kc148 kc149 kc237a-b-v kc238a-b-c kc239f-b-c kc507 kc508 kc509 kc635 kc637 kc639.pdf

bc413 bc414 b c.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC413, B, CNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC414, B, CTO-92Plastic PackageEBCABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC413 BC414 UNITSCollector Emitter Voltage VCEO 30 45 VCollector Base Voltage VCBO 45 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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