2SB772I Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB772I

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO251

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2SB772I datasheet

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2SB772 PNP medium power transistor Features High current Low saturation voltage Complement to 2SD882 Applications 1 2 Voltage regulation 3 Relay driver SOT-32 (TO-126) Generic switch Audio power amplifier DC-DC converter Figure 1. Internal schematic diagram Description The device is a PNP transistor manufactured by using planar Technology re

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2SB772I

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