2SB772I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB772I

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для 2SB772I

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB772I даташит

 ..1. Size:288K  lzg
2sb772i 3ca772i.pdfpdf_icon

2SB772I

 ..2. Size:288K  lzg
2sb772i.pdfpdf_icon

2SB772I

 8.1. Size:110K  st
2sb772.pdfpdf_icon

2SB772I

2SB772 PNP medium power transistor Features High current Low saturation voltage Complement to 2SD882 Applications 1 2 Voltage regulation 3 Relay driver SOT-32 (TO-126) Generic switch Audio power amplifier DC-DC converter Figure 1. Internal schematic diagram Description The device is a PNP transistor manufactured by using planar Technology re

 8.2. Size:162K  nec
2sb772.pdfpdf_icon

2SB772I

Другие транзисторы: 2SB857-B, 2SB857-C, BC846ALT1, BC846AR, BC846AW, BC846AWT1, BC846B, 2SB772-GR, 2N5551, 2SB772-O, 2SB772-R, BC846BLT1, BC846BR, BC846BW, BC846BWT1, BC847, BC847A