2N277 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N277
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 170 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 95 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: TO36
Otros transistores... 2N2762 , 2N2763 , 2N2764 , 2N2765 , 2N2766 , 2N2767 , 2N2768 , 2N2769 , NJW0281G , 2N2770 , 2N2771 , 2N2772 , 2N2773 , 2N2774 , 2N2775 , 2N2776 , 2N2777 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050