BC878 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BC878
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de BC878
BC878 Datasheet (PDF)
bc878 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC878PNP Darlington transistor1999 May 31Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistor BC878FEATURES PINNING High DC current gain (min. 1000)PIN DESCRIPTION High current (max. 1 A)1 base Low voltage (max. 80 V)2 collector
Otros transistores... BC860CR , BC860CW , BC860CWT1 , BC868 , BC869 , BC875 , BC876 , BC877 , TIP2955 , BC879 , BC880 , BCAP07 , BCAP07A , BCAP07B , BCAP08 , BCAP08A , BCAP08B .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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