BCR158 Todos los transistores

 

BCR158 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCR158

Código: WIs

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT23

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BCR158 datasheet

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BCR158

BCR 158 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 158 WIs Q62702-C2338 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base

 0.1. Size:34K  siemens
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BCR158

BCR 158W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 158W WIs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-ba

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