BCR158. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR158

Маркировка: WIs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCR158

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR158 даташит

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr158.pdf pdf_icon

BCR158

BCR 158 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 158 WIs Q62702-C2338 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base

 0.1. Size:34K  siemens
 bcr158w.pdf pdf_icon

BCR158

BCR 158W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 158W WIs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-ba

Другие транзисторы: BCR141W, BCR142, BCR142W, BCR146, BCR146W, BCR148, BCR148S, BCR148W, 13007, BCR158W, BCR162, BCR166, BCR166W, BCR169, BCR169S, BCR183, BCR183S