BCR48PN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCR48PN
Código: WT_WTs
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCR48PN
BCR48PN Datasheet (PDF)
bcr48pn.pdf
BCR 48PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor NPN: R1 = 47k, R2 = 47k PNP: R1 = 2.2k, R2 = 47kTape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 48PN WTs Q62702-C2496 1=E1
bcr48pn.pdf
BCR48PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN: R1 = 47k, R2 = 47k PNP: R1= 2.2k, R2 = 47k Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101C1 B2 E26 5 4R2
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History: BF722
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