BCR48PN Todos los transistores

 

BCR48PN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCR48PN
   Código: WT_WTs
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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BCR48PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  siemens
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BCR48PN

BCR 48PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor NPN: R1 = 47k, R2 = 47k PNP: R1 = 2.2k, R2 = 47kTape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 48PN WTs Q62702-C2496 1=E1

 ..2. Size:534K  infineon
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BCR48PN

BCR48PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN: R1 = 47k, R2 = 47k PNP: R1= 2.2k, R2 = 47k Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101C1 B2 E26 5 4R2

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History: 3DD3020A3 | AD169

 

 
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