BCR48PN Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCR48PN

Código: WT_WTs

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT-363

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BCR48PN datasheet

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BCR48PN

BCR 48PN NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor NPN R1 = 47k , R2 = 47k PNP R1 = 2.2k , R2 = 47k Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 48PN WTs Q62702-C2496 1=E1

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BCR48PN

BCR48PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit 4 5 3 6 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 2 1 Transistors in one package Built in bias resistor NPN R1 = 47k , R2 = 47k PNP R1= 2.2k , R2 = 47k Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 C1 B2 E2 6 5 4 R2

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