BCV28 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCV28

Código: ED

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000

Encapsulados: SOT89

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BCV28 datasheet

 ..1. Size:48K  philips
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BCV28

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BCV28; BCV48 PNP Darlington transistors 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 21 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BCV28; BCV48 FEATURES PINNING Very high DC current gain (min. 10000) PIN DESCRIPTION High current (max. 500 mA) 1 emitter Low voltage

 ..2. Size:142K  siemens
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BCV28

PNP Silicon Darlington Transistors BCV 28 BCV 48 For general AF applications High collector current High current gain Complementary types BCV 29, BCV 49 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 4 BCV 28 ED Q62702-C1852 B C E C SOT-89 BCV 48 EE Q62702-C1854 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit BCV 28 BCV 48 Collector-emitter vol

 ..3. Size:510K  infineon
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BCV28

BCV28, BCV48 PNP Silicon Darlington Transistors 1 For general AF applications 2 High collector current 3 2 High current gain Complementary types BCV29, BCV49 (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCV28 ED 1=B 2=C 3=E SOT89 BCV48 EE 1=B 2=C 3=E SOT89 Maximum Ratings Parameter Symbol Valu

Otros transistores... BCR555, BCR562, BCR569, BCR571, BCR573, BCR583, BCV26, BCV27, TIP42, BCV29, BCV46, BCV47, BCV48, BCV49, BCV61, 2SB562-B, BCV61A