BCV49 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCV49
Código: EE_EG
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10000
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCV49
BCV49 Datasheet (PDF)
bcv29 bcv49 5.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109BCV29; BCV49NPN Darlington transistors1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 21Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistors BCV29; BCV49FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter High DC current gain (min.
bcv29 bcv49.pdf
NPN Silicon Darlington Transistors BCV 29BCV 49 For general AF applications High collector current High current gain Complementary types: BCV 28, BCV 48 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BCV 29 EF Q62702-C1853 B C E C SOT-89BCV 49 EG Q62702-C1832Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBCV 29 BCV 49Collector-emitter vol
bcv29 bcv49.pdf
BCV29, BCV49NPN Silicon Darlington Transistors1 For general AF applications2 High collector current 32 High current gain Complementary types: BCV28, BCV48 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageBCV29 EF 1=B 2=C 3=E SOT89 BCV49 EG 1=B 2=C 3=E SOT89Maximum RatingsParameter Symbol Va
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