BCV49 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCV49

Código: EE_EG

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10000

Encapsulados: SOT89

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BCV49 datasheet

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BCV49

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 BCV29; BCV49 NPN Darlington transistors 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 21 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BCV29; BCV49 FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 emitter High DC current gain (min.

 ..2. Size:141K  siemens
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BCV49

NPN Silicon Darlington Transistors BCV 29 BCV 49 For general AF applications High collector current High current gain Complementary types BCV 28, BCV 48 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 4 BCV 29 EF Q62702-C1853 B C E C SOT-89 BCV 49 EG Q62702-C1832 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit BCV 29 BCV 49 Collector-emitter vol

 ..3. Size:69K  infineon
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BCV49

BCV29, BCV49 NPN Silicon Darlington Transistors 1 For general AF applications 2 High collector current 3 2 High current gain Complementary types BCV28, BCV48 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCV29 EF 1=B 2=C 3=E SOT89 BCV49 EG 1=B 2=C 3=E SOT89 Maximum Ratings Parameter Symbol Va

Otros transistores... BCR583, BCV26, BCV27, BCV28, BCV29, BCV46, BCV47, BCV48, S9013, BCV61, 2SB562-B, BCV61A, 2SB1721-Z, BCV61B, 2SB1644JFRA, BCV61C, 2SB1669