BCW65A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCW65A

Código: EA_EAs

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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BCW65A datasheet

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BCW65A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BCW65A, BCW65B BCW65C GENERAL PURPOSE TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS BCW65A = EA ALL DIMENSIONS IN mm BCW65B = EB BCW65C = EC Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS BCW65A 65B 65C C

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BCW65A

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BCW65A

BCW65ALT1G, BCW65CLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector - Emitter Voltage VCEO 32 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 60 Vdc 3 Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 Vdc 1 Collector Current - Cont

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