BCW65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW65A

Маркировка: EA_EAs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW65A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW65A даташит

 ..1. Size:81K  cdil
bcw65a b c.pdfpdf_icon

BCW65A

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BCW65A, BCW65B BCW65C GENERAL PURPOSE TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS BCW65A = EA ALL DIMENSIONS IN mm BCW65B = EB BCW65C = EC Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS BCW65A 65B 65C C

 0.1. Size:84K  motorola
bcw65alt.pdfpdf_icon

BCW65A

 0.2. Size:110K  onsemi
bcw65alt1-clt1.pdfpdf_icon

BCW65A

BCW65ALT1G, BCW65CLT1G General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER Collector - Emitter Voltage VCEO 32 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 60 Vdc 3 Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 Vdc 1 Collector Current - Cont

Другие транзисторы: BCW63A, BCW63B, BCW63C, BCW64, BCW64A, BCW64B, BCW64C, BCW65, TIP35C, BCW65ALT1, BCW65B, BCW65BLT1, BCW65C, BCW65CLT1, BCW65RA, BCW65RB, BCW65RC