BCW65BLT1 Todos los transistores

 

BCW65BLT1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCW65BLT1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 32 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 600
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BCW65BLT1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:10717K  sprague
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BCW65BLT1

 9.1. Size:84K  motorola
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BCW65BLT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW65ALT1/DGeneral Purpose TransistorBCW65ALT1NPN SiliconCOLLECTOR313BASE122EMITTERMAXIMUM RATINGSCASE 31808, STYLE 6Rating Symbol Value Unit SOT23 (TO236AB)CollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current

 9.2. Size:134K  siemens
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BCW65BLT1

NPN Silicon AF Transistors BCW 65BCW 66 For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BCW 67, BCW 68 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BCW 65 A EAs Q62702-C1516 B E C SOT-23BCW 65 B EBs Q62702-C1612BCW 65 C ECs Q62702-C1479BCW 66 F EFs Q62702-C1892BCW 66 G EGs Q627

 9.3. Size:52K  diodes
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BCW65BLT1

SOT23 NPN SILICON PLANARBCW65MEDIUM POWER TRANSISTORSBCW66ISSUE 3 - AUGUST 1995. T I D T I V V EC V T BV T T SOT23 8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V V i II I 8 V II I V V I V Di i i T V i T T T V V V V V V V V BCW65BCW66ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25

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History: DTC706

 

 
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