BCW65BLT1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCW65BLT1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 600

Encapsulados: SOT23

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BCW65BLT1 datasheet

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BCW65BLT1

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BCW65BLT1

NPN Silicon AF Transistors BCW 65 BCW 66 For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BCW 67, BCW 68 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BCW 65 A EAs Q62702-C1516 B E C SOT-23 BCW 65 B EBs Q62702-C1612 BCW 65 C ECs Q62702-C1479 BCW 66 F EFs Q62702-C1892 BCW 66 G EGs Q627

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BCW65BLT1

SOT23 NPN SILICON PLANAR BCW65 MEDIUM POWER TRANSISTORS BCW66 ISSUE 3 - AUGUST 1995 . T I D T I V V E C V T B V T T SOT23 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V V i II I 8 V II I V V I V Di i i T V i T T T V V V V V V V V BCW65 BCW66 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25

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