BCW65BLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW65BLT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW65BLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW65BLT1 даташит

 8.1. Size:10717K  sprague
 bcw31 bcw32 bcw33 bcw60a bcw60b bcw60c bcw60d bcw65a bcw65b bcw66f bcw66g bcw71 bcw72 bcx19 bcx20 bcx70g.pdf pdf_icon

BCW65BLT1

 9.1. Size:84K  motorola
 bcw65alt.pdf pdf_icon

BCW65BLT1

 9.2. Size:134K  siemens
 bcw65 bcw66.pdf pdf_icon

BCW65BLT1

NPN Silicon AF Transistors BCW 65 BCW 66 For general AF applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BCW 67, BCW 68 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BCW 65 A EAs Q62702-C1516 B E C SOT-23 BCW 65 B EBs Q62702-C1612 BCW 65 C ECs Q62702-C1479 BCW 66 F EFs Q62702-C1892 BCW 66 G EGs Q627

 9.3. Size:52K  diodes
 bcw65 bcw66.pdf pdf_icon

BCW65BLT1

SOT23 NPN SILICON PLANAR BCW65 MEDIUM POWER TRANSISTORS BCW66 ISSUE 3 - AUGUST 1995 . T I D T I V V E C V T B V T T SOT23 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T IT II V I V V II i V I V V i V I V V V i II I 8 V II I V V I V Di i i T V i T T T V V V V V V V V BCW65 BCW66 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCW64, BCW64A, BCW64B, BCW64C, BCW65, BCW65A, BCW65ALT1, BCW65B, BC558, BCW65C, BCW65CLT1, BCW65RA, BCW65RB, BCW65RC, BCW66, BCW66F, BCW66G