BCW81 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCW81
Código: K3_K3p_K3t
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 420
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BCW81
BCW81 Datasheet (PDF)
bcw81.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088BCW81NPN general purpose transistor1997 Apr 02Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BCW81FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 ba
bcw81.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BCW81SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingBCW81 = K3Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCB0 max. 50 VCollectoremitter voltage (open base) V
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050