Справочник транзисторов. BCW81

 

Биполярный транзистор BCW81 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW81
   Маркировка: K3_K3p_K3t
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BCW81

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW81 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  philips
 bcw81.pdf pdf_icon

BCW81

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088BCW81NPN general purpose transistor1997 Apr 02Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor BCW81FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 ba

 ..2. Size:202K  cdil
 bcw81.pdf pdf_icon

BCW81

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package BCW81SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsMarkingBCW81 = K3Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCB0 max. 50 VCollectoremitter voltage (open base) V

Другие транзисторы... BCW79 , BCW79-10 , BCW79-16 , BCW79-25 , BCW80 , BCW80-10 , BCW80-16 , BCW80-25 , 2SD718 , BCW81R , BCW82 , BCW82A , BCW82B , BCW83 , BCW83A , BCW83B , BCW83C .

History: 2SB1182R | MA393C | BCP53-10 | BCW81R | RN1109ACT | TK70A | GF137

 

 
Back to Top

 


 
.