BCY70 Todos los transistores

 

BCY70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCY70
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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BCY70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
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BCY70

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D361BCY70; BCY71PNP general purpose transistors1997 Jul 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistors BCY70; BCY71FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 e

 ..2. Size:232K  cdil
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BCY70

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BCY70 , 71, 72 TO-18 Metal Can PackageGeneral Purpose Industrial Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BCY70 BCY71 BCY72 UNITCollector Emitter Voltage VCEO 40 45 25 VCollector Base Voltage VCB

 0.1. Size:10K  semelab
 bcy70dcsm.pdf pdf_icon

BCY70

BCY70DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 40V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.05

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
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