BD107 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD107
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
Tensión colector-base (Vcb): 64 V
Tensión colector-emisor (Vce): 64 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO3
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BD107 datasheet
bd107.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD107 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 65V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver and output stages and high Power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 65 V CBO V Colle
Otros transistores... BCZ10 , BCZ11 , BCZ12 , BCZ13 , BCZ14 , BD106 , BD106A , BD106B , SS8050 , BD107A , BD107B , BD107C , BD109 , BD109-10 , BD109-16 , BD109-6 , BD109A .
History: BD106 | 2SC3472 | 2N6833
History: BD106 | 2SC3472 | 2N6833
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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