BD107B Todos los transistores

 

BD107B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD107B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 64 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 64 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BD107B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
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BD107B

isc Silicon NPN Power Transistor BD107DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 65V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver and output stages and highPower switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 65 VCBOV Colle

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