BD142-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BD142-6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 0.7 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BD142-6

BD142-6 Datasheet (PDF)

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BD142 NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONSLF Large Signal Power Amplification Low Saturation Voltage High Dissipation Rating Intended for a wide variety of intermediate-power applications. It is especially suited for use in audio and inverter circuits at 12 volts. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage 45

9.2. Size:204K inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor BD142DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLF large signal power amplification.Intended for a wide variety of intermediate power applications.Suited for use in audio and inverter circuits at 12V.ABSOLUTE MAXIMUM

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: LDTA115EET1G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050