BD190 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD190
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de BD190
BD190 Datasheet (PDF)
bd190.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD190DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD189Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in 5 to10 Watt audio amplifiers utilizingcomplementary or ruais complemen
Otros transistores... BD182 , BD183 , BD184 , BD185 , BD186 , BD187 , BD188 , BD189 , S9018 , BD191 , BD191-4 , BD191-5 , BD191-6 , BD191-7 , BD192 , BD192-4 , BD192-5 .
History: C2383B | 2SD1212 | 2N4266 | 2SB1110C | BD170 | 2SB1118S | NPS751
History: C2383B | 2SD1212 | 2N4266 | 2SB1110C | BD170 | 2SB1118S | NPS751



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c