Биполярный транзистор BD190 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD190
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
BD190 Datasheet (PDF)
..2. Size:209K inchange semiconductor
bd190.pdf
bd190.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD190DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -60V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD189Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in 5 to10 Watt audio amplifiers utilizingcomplementary or ruais complemen
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050