BD190. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD190
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для BD190
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD190 даташит
bd190.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD190 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD189 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in 5 to10 Watt audio amplifiers utilizing complementary or ruais complemen
Другие транзисторы: BD182, BD183, BD184, BD185, BD186, BD187, BD188, BD189, D667, BD191, BD191-4, BD191-5, BD191-6, BD191-7, BD192, BD192-4, BD192-5
History: SLA6024
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c

