BD2530 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD2530
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO3
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BD2530 datasheet
bd253a.pdf
BD253A Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 500V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 4A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
Otros transistores... BD250A, BD250B, BD250C, BD250D, BD250E, BD250F, BD251, BD253, BC556, BD253A, BD253B, BD253C, BD254, BD2540, BD255, BD2550, BD257
History: LBC848CPDW1T3G | MQ918R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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