BD318 Todos los transistores

 

BD318 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BD318

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

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BD318 datasheet

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BD318

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BD318

isc Silicon PNP Power Transistor BD318 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h = 25(Min.)@I = -5A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.0 V(Max)@ I = -8A CE(sat C Complement to Type BD317 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high quality amplifiers operating up to 1

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