BD336 Todos los transistores

 

BD336 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BD336
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BD336 Datasheet (PDF)

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BD336

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BD336

BD336SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 3DESCRIPTION 21The BD336 is a silicon epitaxial-base PNPtransistor in Darlingon configuration mounted inSOT-82SOT-82 plastic package.It is inteded for use

 ..3. Size:210K  inchange semiconductor
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BD336

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD336DESCRIPTIONHigh DC Current GainComplement to type BD335Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPNP epitaxial base transistors in monolithic Darlingtoncircuit for audio output stages and general amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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History: FJV4101R

 

 
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