BD336 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD336
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO126
Búsqueda de reemplazo de BD336
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BD336 datasheet
bd336.pdf
BD336 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 3 DESCRIPTION 2 1 The BD336 is a silicon epitaxial-base PNP transistor in Darlingon configuration mounted in SOT-82 SOT-82 plastic package. It is inteded for use
bd336.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD336 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD335 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PNP epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... BD328 , BD329 , BD330 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , 2N3904 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 , BD344 , BD345 , BD346 , BD347 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet