BD337 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD337
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 7 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO126
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BD337 datasheet
bd337.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD337 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD338 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS NPN epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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History: BD336
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