BD338 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BD338
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 7 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO126
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BD338 datasheet
bd338.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD338 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD337 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PNP epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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