BD338 - описание и поиск аналогов

 

BD338. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD338

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD338

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD338 даташит

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
 bd338.pdf pdf_icon

BD338

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD338 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD337 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PNP epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... BD330 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD335 , BD336 , BD337 , 2N5551 , BD342 , BD343 , BD344 , BD345 , BD346 , BD347 , BD348 , BD349 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.